人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术,当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级,无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队的前期研究表明,二维半导体结构能够将其速度提升1000倍以上,实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。该团队从界面工程出发,在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。　　　光明日报