宽禁带半导体产业基地落户高新区

放大

缩小

默认

宽禁带半导体产业基地落户高新区

2016年12月30日　　来源：齐鲁晚报

QQ空间新浪微博腾讯微博人人网微信分享到：

【PDF版】

　　　　山东在晶体研究方面一直拥有优势项目,其中半导体研究在全球可谓一枝独秀,无论是技术还是材料都拥有自主知识产权。近日,“宽禁带半导体产业基地揭牌暨合作项目签约仪式”在济南高新区齐鲁软件园举行,宽禁带半导体产业基地正式落户高新区。该基地将打造基于核心技术的产业树。
　　宽禁带半导体材料(Eg大于或等于3.2ev)被称为第三代半导体材料。主要包括金刚石、SiC、GaN等。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点,其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景,非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。
　　　　　　　　　　　　　　　　　(于晓娟)

本稿件所含文字、图片和音视频资料，版权均属齐鲁晚报所有，任何媒体、网站或个人未经授权不得转载，违者将依法追究责任。

网友为此稿件打分的平均分是：

齐鲁晚报多媒体数字版

按日期查阅