齐鲁晚报 -微报纸-2023年08月01日

　　近年来,为了实现可持续发展的社会,对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求,GaN　HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而,与Si　MOSFET相比,GaN　HEMT的栅极处理很难,必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现安装。　　新产品中集成了新一代功率器件650V　GaN　HEMT、能够更大程度地激发出GaN　HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外,新产品支持更宽的驱动电压范围(2.5V～30V),拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能,因此可以替换现有的Si　MOSFET。与Si　MOSFET相比,器件体积可减少约99%,功率损耗可降低约55%,因此可同时实现更低损耗和更小体积。

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ROHM开发出EcoGaN　Power　Stage　IC

齐鲁晚报 2023年08月01日

　　近年来,为了实现可持续发展的社会,对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求,GaN　HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而,与Si　MOSFET相比,GaN　HEMT的栅极处理很难,必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现安装。
　　新产品中集成了新一代功率器件650V　GaN　HEMT、能够更大程度地激发出GaN　HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外,新产品支持更宽的驱动电压范围(2.5V～30V),拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能,因此可以替换现有的Si　MOSFET。与Si　MOSFET相比,器件体积可减少约99%,功率损耗可降低约55%,因此可同时实现更低损耗和更小体积。